MOSFET: কর্ম এবং নীতির পরিধি

যেমন একটি অর্ধপরিবাহী একটি উপাদান বৈশিষ্ট্য অধ্যয়নরত বিপ্লবী আবিষ্কার করতে অনুমতি দেওয়া হয়েছে। সময় প্রযুক্তি বাণিজ্যিকভাবে ডায়োড, মস ট্রানজিস্টর, thyristors এবং অন্যান্য উপাদান উত্পাদন করতে ওভার। তারা সফলভাবে ভ্যাকুয়াম টিউব প্রতিস্থাপিত এবং সবচেয়ে সাহসী ধারনা উপলব্ধি করা অনুমতি দেওয়া হয়েছে। সেমিকন্ডাক্টর উপাদান আমাদের জীবনের সকল ক্ষেত্রে ব্যবহার করা হয়। তারা আমাদের ইত্যাদি তাদের কম্পিউটারে ভিত্তিতে তথ্য প্রচুর পরিমাণে উত্পাদিত হয়, টেপ রেকর্ডার, টেলিভিশন, প্রক্রিয়া করতে সাহায্য

প্রথম ট্রানজিস্টার উদ্ভাবন সাল থেকে, এবং এটি 1948 সালে ছিল, একটি দীর্ঘ সময় গৃহীত। বিন্দু জার্মেনিয়াম, সিলিকন, ক্ষেত্র-প্রভাব ট্রানজিস্টার বা MOSFET: এই উপাদান বৈচিত্র ছিল। তাদের সমস্ত ব্যাপকভাবে ইলেকট্রনিক যন্ত্রপাতি ব্যবহার করা হয়। সেমি কন্ডাক্টর বৈশিষ্ট্য গবেষণা আমাদের সময়ে থামবে না।

এই গবেষণায় একটি যেমন একটি ডিভাইস উত্থানের হয়েছে MOSFET। অপারেশন নীতিকে অস্তরক সঙ্গে সীমান্তে অর্ধপরিবাহী স্তর পৃষ্ঠের পরিবাহিতা পরিবর্তিত হয় - এটা সত্য যে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র (ক্ষেত্র অত: পর অন্য নাম) উপর ভিত্তি করে। এই সম্পত্তি বিভিন্ন উদ্দেশ্যে ইলেকট্রনিক সার্কিট ব্যবহার করা হয়। মস ট্রানজিস্টার একটি কাঠামো যা শুন্যতে যথেষ্ট নিয়ন্ত্রণ সংকেত দ্বারা প্রভাবিত হয়ে ড্রেন এবং উৎস মধ্যে সহ্য করার ক্ষমতা কমে রাখার মঞ্জুরি দেয়।

তার সম্পত্তি দ্বিমেরু "প্রতিদ্বন্দ্বী" থেকে ভিন্ন। তারাই তার প্রয়োগ সুযোগ নির্ধারণ করা হয়।

• হাই পারফরম্যান্স স্ফটিক নিজেই ও এর অনন্য বৈশিষ্ট্য miniaturizing করে এটা করা যায়। এই শিল্প উত্পাদন অসুবিধাগুলির কারণে হয়। বর্তমানে, স্ফটিক একটি 0.06 মাইক্রন গেট দিয়ে উত্পাদিত হয়।
• একটি ছোট পরিবর্তন ক্যাপ্যাসিট্যান্স উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির সার্কিট কাজ করতে এই ডিভাইসগুলি দেয়। উদাহরণস্বরূপ, তাদের ব্যবহার সঙ্গে একটি LSI সফলভাবে মোবাইল যোগাযোগ ব্যবহার করা হয়েছে।
• প্রায় শূন্য প্রতিরোধের, যা একটি খোলা রাজ্যের একটি MOSFET আছে, এটা ইলেকট্রনিক কী হিসেবে ব্যবহার করা যাবে। তারা উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির সংকেত জেনারেট করার জন্য বা এই ধরনের কর্মক্ষম এম্প্লিফায়ার্স উপাদান গণনার জমকালো অনুষ্ঠান জন্য সার্কিট মধ্যে কাজ করতে পারেন।
• এই ধরনের শক্তিশালী ডিভাইস সফলভাবে ক্ষমতা মডিউল ব্যবহার করা হয়েছে এবং আনয়ন বর্তনী মধ্যে অন্তর্ভুক্ত করা যেতে পারে। তাদের ব্যবহার একটি ভাল উদাহরণ হতে পারে বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল।

যখন নকশা এবং এই উপাদানগুলির কাজ কিছু বৈশিষ্ট্য বিবেচনা করা প্রয়োজন। MOSFETs overvoltage এবং সহজে বিপরীত ব্যর্থ সংবেদনশীল। আবেশাঙ্ক সার্কিট সাধারণভাবে উচ্চ গতির ব্যবহার Schottky ডায়োড বিপরীত ভোল্টেজ ডাল, যা সুইচিং সময় ঘটে মসৃণকরণ জন্য।

এই ডিভাইসগুলি ব্যবহারের জন্য প্রসপেক্টস বেশ বড়। তাদের উত্পাদন প্রযুক্তি উন্নতি উপায়ে স্ফটিক (ঝিলমিল স্কেলিং) কমাতে হয়। ধীরে ধীরে ডিভাইস আরো শক্তিশালী মোটর পরিচালনা করতে সক্ষম হয় উঠতি।